矽電晶體的發明，讓電子產品變得更小、更便宜，也帶來了科技爆炸性飛躍的時代。不過在1947年，最早的電晶體，卻是用「鍺元素」做的。因為在當時，矽的純化技術還不夠好，更麻煩的是，要製作半導體，必須在矽晶體裡面摻入雜質，且這個「摻雜」的技術也還不成熟。另外矽的熔點比較高，也帶來製造上的瓶頸。以上種種原因，讓矽半導體的品質很不穩定，所以如果要用矽來進行電晶體的開發，想必是更加困難。 相對來說，早在二次大戰期間，鍺元素已經被用來製作雷達檢波器。製作鍺半導體既然比較容易，鍺電晶體比較早問世，並不令人意外。

然而，鍺電晶體的缺點也很明顯：只要溫度超過攝氏90度，它就不能運作。 當時在貝爾實驗室，幾個人心中浮現同樣的想法：矽和鍺是同族的元素，而且在週期表上非常接近，如果鍺能做成電晶體，矽應該也可以。其中有兩個關鍵人物，一個叫做莫里斯，一個就是後來跳槽的戈登。 莫里斯加入貝爾實驗室之後不久，戈登就離開了。當時，戈登被挖角到草創初期的德州儀器公司，設立研發部門，開發矽電晶體等技術。 同時，貝爾實驗室的莫里斯，也對此產生興趣。紀錄顯示，他的小組早在1954年1月就發明了矽電晶體，比戈登更早。不過，無論是貝爾實驗室或莫里斯自己，都認為生產方法不好，沒什麼商業價值，因此直到1955年才發表。 相反的，戈登在1954年4月做出矽電晶體之後，馬上在5月10號當天，一場由無線電工程師協會舉辦的全國電子會議上，把矽電晶體帶到會場展示。當時，戈登把矽和鍺做的電晶體，同時浸泡到攝氏一百多度的熱油裡面；使用鍺電晶體的裝置，立刻變得靜悄悄的；而使用矽電晶體的呢，卻依然響亮清晰。這是一次成功的發表，也讓德州儀器的戈登，首先創造了商用的矽電晶體。

不過，莫里斯仍然持續研究矽電晶體，並加以改進，最後和矽太陽能電池的發明人富勒，一起發明了更優越的氣體擴散摻雜法。可惜的是，貝爾實驗室依然忽視它。 最早的鍺電晶體發明人肖克利卻忍不住了，他決定自己來生產優秀的矽電晶體；於是離開了貝爾實驗室，來到舊金山附近的聖塔克拉拉谷，也就是後來的矽谷，創建了肖克利半導體實驗室，成功招募了一批年輕優秀的人才。不過他的管理，卻不如科學成就高明，因此導致在商業上的失敗。但在這批年輕人當中，卻有八個人出走並創立了快捷半導體；且在不到一年的時間，就生產了更好的矽電晶體，擊敗了所有競爭對手。 後來叱吒風雲的半導體公司Intel、AMD，創始人都來自快捷半導體。而相關產業的蓬勃發展，更締造了矽谷的輝煌時代。